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    單模光纖

    簡要描述:單模光纖:高NAS光纖具有優異的抗彎曲損耗的堅固性,并且由于其改進的光敏性而無需氫化,因此也常用于FBG刻寫。UV-Vis光纖具有純二氧化硅纖芯,以提高對日曬作用的抵抗力,在550nm以上工作的光纖具有Ge摻雜的纖芯。單模純硅芯光纖也可在NIR中工作,并在“惡劣環境"部分中列出。包層直徑為Ø80µm的光纖可減少占用空間,同時提高彎曲時的機械可靠性。纖維可以涂上標準的高溫丙烯酸酯或聚酰亞胺。

    • 產品品牌:其他品牌
    • 廠商性質:經銷商
    • 更新時間:2025-11-03
    • 訪  問  量:24

    詳細介紹

    品牌其他品牌應用領域綜合

    單模光纖 

    用于惡劣環境的緩沖涂層

    單模光纖我們提供工作波長在375 nm和1650 nm之間的單模光纖,NA在0.12和0.37之間。高NAS光纖具有優異的抗彎曲損耗的堅固性,并且由于其改進的光敏性而無需氫化,因此也常用于FBG刻寫。

    UV-Vis光纖具有純二氧化硅纖芯,以提高對日曬作用的抵抗力,在550nm以上工作的光纖具有Ge摻雜的纖芯。單模純硅芯光纖也可在NIR中工作,并在“惡劣環境"部分中列出。

    包層直徑為?80µm的光纖可減少占用空間,同時提高彎曲時的機械可靠性。纖維可以涂上標準的高溫丙烯酸酯或聚酰亞胺。

    關鍵特征

    l375至1650納米操作

    l純二氧化硅芯(UV/VIS)或摻鍺(VIS/NIR)

    l?125µm、?80µm或定制包層直徑

    l丙烯酸酯、高溫丙烯酸酯或聚酰亞胺涂料

    應用覆蓋

    lPigtailing

    l傳感(DAS、DTS、DSS)

    l光纖光柵刻字

    l生物醫學

    主要規格

    產品名稱

    規格

    IXF-SM-375-125-010

    UV-Vis operation

    Solarization   resistant, pure silica core

    0.10 core NA

    IXF-SM-780-125-014

    780 nm operation

    0.14 core NA

    IXF-SM-1550-60-019

    1550 nm operation

    60 µm cladding diameter

    0.19 Core NA

    IXF-SM-1550-80-016

    1550 nm operation

    80 µm cladding diameter

    0.16 Core NA

    IXF-SM-1550-80-019

    1550 nm operation

    60 µm cladding diameter

    0.19 Core NA

    IXF-SM-1550-80-022

    1550 nm operation

    80 µm cladding diameter

    0.22 core NA

    IXF-SM-1550-125-012-PI

    Low radiation level

    Polyimide coating

    IXF-SM-1550-125-014-PI

    Low radiation level

    Polyimide coating

    IXF-SM-1550-80-019-PI

    Low radiation level

    Polyimide coating

    IXF-SM-1550-80-024-PI

    Low radiation level

    Polyimide coating

    IXF-SM-1550-125-028-PI

    Low radiation level

    Polyimide coating

    IXF-SM-1550-125-014-HT

    Low radiation level

    Polyimide coating

    IXF-PHO-CMS

    Cladding Mode Shifted

    Up to 9 nm,   <0.25 dB splice loss

    IXF-PHO-CMSP

    Cladding Mode Shifted

    Up to 9 nm,   <0.25 dB splice loss

     


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